CXMT столкнулась с выходом годных чипов HBM3E на уровне всего 25%: незрелый техпроцесс TSV сдерживает переход к многослойной памяти

2026-11-04 · Источник：TechPowerUp

Три из четырёх многослойных блоков HBM3E китайского производителя памяти оказываются бракованными: причиной называют незрелую технологию TSV, в то время как Samsung, SK hynix и Micron уже переходят к стадии передачи образцов HBM4E.

Крупнейший китайский производитель памяти CXMT, по сообщениям южнокорейских СМИ, обеспечивает выход годных изделий HBM3E лишь на уровне 25%: три из четырёх выпускаемых многослойных сборок оказываются бракованными. Эта информация появилась спустя несколько недель после того, как в конце прошлого месяца стало известно, что компания начала рисковое производство памяти HBM3E ограниченными партиями — тогда новость почти не сопровождалась деталями. В том более раннем сообщении также отмечалось, что CXMT отстаёт на два поколения от Samsung, SK hynix и Micron, которые уже продвигаются к стадии передачи образцов HBM4E.

Этот провал наглядно демонстрирует, насколько объёмная компоновка кристаллов DRAM сложнее производства планарной DRAM — области, в которой CXMT, как сообщается, преуспевает. Низкий выход годных изделий объясняют незрелостью технологии сквозных кремниевых межсоединений (TSV), которую компания применяет в процессе послойной сборки. CXMT снискала репутацию на выпуске классической планарной DRAM, а вот переход к вертикально уложенной памяти оказался значительно более трудной задачей.

Согласно приведённой в публикациях разбивке, на этапе front-end (изготовления кристаллов) CXMT достигает выхода годных около 30%, а на этапе back-end (корпусирования) — примерно 70% от этой базы; перемножение этих показателей и даёт итоговые 25%, которые сегодня приписывают компании.

Разрыв с признанными лидерами рынка по технологиям TSV весьма показателен. Samsung размещает примерно 5 000 межсоединений TSV на слой в HBM2, а SK hynix использует более 8 000 на слой в HBM3. CXMT же, напротив, пытается создать HBM3E, располагая всего 3 000 TSV на слой, и при этом стремится уместить восемь слоёв в стандартную конфигурацию 8-Hi.

Теги: CXMT · HBM3E · TSV · DRAM · Samsung · SK hynix

CXMT столкнулась с выходом годных чипов HBM3E на уровне всего 25%: незрелый техпроцесс TSV сдерживает переход к многослойной памяти

Читайте также